錫晶須測(cè)試部份經(jīng)過(guò)本年度計(jì)畫(huà)對(duì)於純錫 Blech 試片進(jìn)行電遷移的試驗(yàn)，我們利用 5000 A的錫條在 700  A的鈦膜之上的 Blech 構(gòu)造來(lái)研究純錫的電遷移效應(yīng)。所使用的電流密度為 7.5 ×10 4 A/cm 2及 1.5 ×10 5 A/cm 2 。經(jīng)過(guò)通電後我們觀察到在陽(yáng)極部份產(chǎn)生錫晶須及突出物，陰極部份則產(chǎn)生孔洞，如圖？
　　所示。此外，為了研究溫度的效應(yīng)，試片在通電時(shí)分別置於室溫及 50°C 下。在室溫下，電流密度 1.5 ×10 5 A/cm 2時(shí)錫晶須的成長(zhǎng)速率大約為 3  A /sec,在 50°C 下則為7.7 A /sec。在電流密度 7.5 ×10 4 A/cm 2室溫下時(shí)速率為 0.4  A /sec 。本論文中，錫晶須成長(zhǎng)速率與通電的時(shí)間及電流密度及通電時(shí)環(huán)境溫度成函數(shù)關(guān)系，如圖?及圖？所示，在相同溫度但不同電流密度下，受到較高電流密度的試片其錫晶須的成長(zhǎng)速率較快且陰極部分孔洞（Voids） 產(chǎn)生及擴(kuò)大的速
　　率也快得多。除此之外，在相同電流密度（1.5 ×10 5 A/cm 2 ）下，較高溫度時(shí)陽(yáng)極所產(chǎn)生的錫晶須成長(zhǎng)速率較快，同樣地陰極部分所產(chǎn)生的孔洞擴(kuò)大的速率快的多。也就是說(shuō)，我們已經(jīng)對(duì)此純錫的電遷移試片做了加速的測(cè)試，模擬了在高電流密度不同溫度下的結(jié)果。錫晶須的成長(zhǎng)機(jī)制至目前為止很多文獻(xiàn)所做過(guò)的推測(cè)都是針對(duì)由機(jī)械應(yīng)力所產(chǎn)生的錫晶須部分，而我們利用電流所驅(qū)使的錫晶須跟由機(jī)械應(yīng)力所產(chǎn)生的錫晶須在成長(zhǎng)機(jī)制方面主要有兩點(diǎn)不同之處：第一點(diǎn)：在成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力方面不同，由電流所驅(qū)使的錫晶須其產(chǎn)生主要來(lái)至於電子與金屬薄膜中錫原子的撞擊，而在未經(jīng)通電的試片長(zhǎng)時(shí)間觀察中，并未產(chǎn)生錫
　　晶須。因此電子流的撞擊錫原子確實(shí)為此錫晶須的產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力。當(dāng)電子從陰極進(jìn)入錫薄膜時(shí)并行進(jìn)至陽(yáng)極，電流擁擠效應(yīng)（Current crowdin g）產(chǎn)生於薄膜的角落部分。第二點(diǎn)：擴(kuò)散路徑不同。在文獻(xiàn)中，自發(fā)性產(chǎn)生的錫晶須其錫原子的擴(kuò)散是經(jīng)由短距離的擴(kuò)散。而在電遷移中，錫原子從陰極到陽(yáng)極的擴(kuò)散提供了一個(gè)錫原子的流量，屬於長(zhǎng)距離的擴(kuò)散

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